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2015-01-28 1 2015-01-28 infrared-emitter (850 nm) and si-phototransistor ir-emitter (850 nm) und si-fototransistor version 1.1 sfh 7250 ordering information bestellinformation features: besondere merkmale: ? available on tape and reel ? gegurtet lieferbar ? smt package with ir emitter (850 nm) and si-phototransistor ? smt geh?use mit ir-sender (850 nm) and si-fototransistor ? suitable for smt assembly ? geeignet fr smt-bestck ung ? emitter und detector can be controlled separately ? sender und empf?nger getrennt ansteuerbar applications anwendungen ? data transmission ? datenbertragung ? lock bar ? wegfahrsperre ? infrared interface ? infrarotschnittstelle type: package: ordering code typ: geh?use: bestellnummer sfh 7250 smt multi topled ? Q65111A3188
2015-01-28 2 version 1.1 sfh 7250 maximum ratings grenzwerte parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit operating and storage temperature range betriebs- und lagertemperatur t op ; t stg -40 ... 100 c junction temperature sperrschichttemperatur t j (max) 100 c ired forward current durchlassstrom i f 70 ma surge current sto?strom (t p 10 s, d = 0) i fsm 0.7 a reverse voltage sperrspannung v r 5 v total power dissipation verlustleistung p tot 140 mw thermal resistance junction - ambient 1) page 15 w?rmewiderstand sperrschicht - umgebung 1) seite 15 r thja 500 k / w thermal resistance junction - solder point w?rmewiderstand sperrschicht - l?tpad r thjs 400 k / w esd withstand voltage esd festigkeit v esd 2 kv phototransistor fototransistor collector current kollektorstrom i c 15 ma surge current sto?strom (t p 10 s, d = 0) i fsm 0.075 a collector-emitter voltage kollektor-emitter-spannung v ce 35 v
version 1.1 sfh 7250 2015-01-28 3 characteristics kennwerte total power dissipation verlustleistung p tot 165 mw thermal resistance 1) page 15 w?rmewiderstand 1) seite 15 r thja 450 k / w esd withstand voltage esd festigkeit v esd 2 kv note : the stated maximum ratings refer to one chip. anm : die angegebenen grenzdaten gelten fr einen chip. parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit ired (t a = 25 c) peak wavelength emissionswellenl?nge (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) peak 860 nm spectral bandwidth at 50% of i max spektrale bandbreite bei 50% von i max (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) ? 30 nm half angle halbwinkel (typ) ? 60 active chip area aktive chipfl?che (typ) a 0.04 mm 2 dimensions of active chip area abmessungen der aktiven chipfl?che (typ) l x w 0.2 x 0.2 mm x mm rise and fall time of i e ( 10% and 90% of i e max ) schaltzeit von i e ( 10% und 90% von i e max ) (i f = 70 ma, r l = 50 ?) (typ) t r , t f 12 ns forward voltage durchlassspannung (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ (max)) v f 1.6 ( 2) v parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit
2015-01-28 4 version 1.1 sfh 7250 forward voltage durchlassspannung (i f = 500 ma, t p = 100 s) (typ (max)) v f 2.4 ( 3) v reverse current sperrstrom (v r = 5 v) (typ (max)) i r not designed for reverse operation a total radiant flux gesamtstrahlungsfluss (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) e 40 mw min radiant intensity min strahlst?rke (i f = 70 ma, t p = 20 ms) i e, min 6.3 mw / sr radiant intensity strahlst?rke (i f = 70 ma, t p = 20 ms) i e, typ 10 mw/sr typ radiant intensity typ strahlst?rke (i f = 500 ma, t p = 100 s) i e, typ 60 mw / sr temperature coefficient of i e or e temperaturkoeffizient von i e bzw. e (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) tc i -0.5 % / k temperature coefficient of v f temperaturkoeffizient von v f (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) tc v -0.7 mv / k temperature coefficient of wavelength temperaturkoeffizient der wellenl?nge (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) tc 0.3 nm / k phototransistor fototransistor (t a = 25 c, = 880 nm) wavelength of max. sensitivity wellenl?nge der max. fotoempfindlichkeit (typ) s max 990 nm spectral range of sensitivity spektraler bereich der fotoempfindlichkeit (s = 10% of s max ) (typ) 440 ... 1150 nm parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit
version 1.1 sfh 7250 2015-01-28 5 grouping (t a = 25 c) gruppierung radiant sensitive area bestrahlungsempfindliche fl?che (? = 240 m) (typ) a 0.038 mm 2 dimensions of chip area abmessung der chipfl?che (typ) l x w (typ) 0.45 x 0.45 mm x mm distance chip front to case surface abstand chipoberfl?che bis geh?usevorderseite (typ) h (typ) 0.5 ... 0.7 mm half angle halbwinkel (typ) ? 60 capacitance kapazit?t (v ce = 0 v, f = 1 mhz, e = 0) (typ) c ce 5 pf dark current dunkelstrom (v ce = 25 v, e = 0) (typ (max)) i ce0 1 ( 200) na photocurrent fotostrom ( = 880 nm, e e = 0.1 mw/cm 2 , v ce = 5 v) i pce 16 a rise and fall time anstiegs- und abfallzeit (i c = 1 ma, v cc = 5 v, r l = 1 k?) (typ) t r , t f 7 s collector-emitter saturation voltage kollektor-emitter s?ttigungsspannung (i c = 5 a, e e = 0.1 mw/cm 2 ) (typ) v cesat 150 mv group min radiant intensity max radiant intensity typ radiant intensity gruppe min strahlst?rke max strahlst?rke typ strahlst?rke i f = 70 ma, t p = 20 ms i f = 70 ma, t p = 20 ms i f = 500 ma, t p = 100 s i e, min i e, max i e, typ sfh 7250-q 6.3 12.5 55 sfh 7250-r 10 20 90 note: measured at a solid angle of ? = 0.01 sr. anm.: gemessen bei einem raumwinkel von ? = 0.01 sr . parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit
2015-01-28 6 version 1.1 sfh 7250 forward current 2) page 15 durchlassstrom 2) seite 15 i f = f(v f ), t a = 25 c radiant intensity 2) page 15 strahlst?rke 2) seite 15 i e / i e (70 ma) = f(i f ), single pulse, t p = 25 s permissible pulse handling capability zul?ssige pulsbelastbarkeit i f = f(t p ), t a = 25 c, duty cycle d = parameter relative spectral emission 2) page 15 relative spektrale emission 2) seite 15 (typ) i rel = f(), t a = 25c ohf03826 f i 10 -4 0.5 1 1.5 2 2.5 v 3 10 0 a 0 f v -1 10 55 10 -2-3 5 10 ohf04406 i f ma 10 5 10 5 10 10 3 1 10 -2 10 -3 10 5 1010 5 -1 5 0 e (70 ma) i e i 0 1 2 0 -5 f i a t p s ohf03733 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 10 t t t d = p p t i f 0.05 0. 5 0. 1 0. 3 0.005 0.01 0.02 = d 0. 2 0. 1 0. 2 0. 3 0. 4 0. 5 0. 6 0. 7 1 700 0 nm % ohf04132 20 40 60 80 100 950 750 800 850 i rel
version 1.1 sfh 7250 2015-01-28 7 max. permissible forward current max. zul?ssiger durchlassstrom i f, max = f(t a ) 0 0 ?c t i f ma ohf03732 a 20 40 60 80 100 120 10 20 30 40 50 60 70 80
2015-01-28 8 version 1.1 sfh 7250 diagrams p h o t o t r a n s i s t o r diagramme f o t o t r a n s i s t o r relative spectral sensitivity 2) page 15 relative spektrale empfindlichkeit 2) seite 15 s rel = f(), t a = 25c photocurrent 2) page 15 fotostrom 2) seite 15 i pce = f(e e ), v ce = 5 v, t a = 25c 0 ohf00207 400 s rel nm % 500 600 700 800 900 1100 10 20 30 40 50 60 70 80 100 e ohf00312 e pce 10 -1 10 -3 10 -2 10 0 10 0 10 1 10 2 10 3 w/cm 2 m a
version 1.1 sfh 7250 2015-01-28 9 photocurrent 2) page 15 fotostrom 2) seite 15 i pce = f(v ce ), e e = parameter, t a = 25c photocurrent 2) page 15 fotostrom 2) seite 15 i pce / i pce (25c) = f(t a ), v ce = 5 v dark current 2) page 15 dunkelstrom 2) seite 15 i ceo = f(v ce ), e = 0, t a = 25c dark current 2) page 15 dunkelstrom 2) seite 15 i ceo = f(t a ), v ce = 5 v, e = 0 v ohf01529 ce pce 0 0 10 10 -2 10 -1 ma v 5 10 15 20 25 30 35 mw cm 2 0.1 0.25 2 cm mw 0.5 2 cm mw 1 2 cm mw t ohf01524 a 0 -25 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 0 25 50 75 100 pce pce 25 c v ohf01527 ce ceo -3 10 10 -2 10 -1 10 0 10 1 0 5 10 15 20 25 30 35v na t ohf01530 a ceo -1 10 10 0 10 1 10 2 10 3 -25 na 0 25 50 75 100 ?c
2015-01-28 10 version 1.1 sfh 7250 collector-emitter capacitance 2) page 15 kollektor-emitter kapazit?t 2) seite 15 c ce = f(v ce ), f = 1 mhz, e = 0, t a = 25c total power dissipation verlustleistung p tot = f(t a ) ired radiation characteristics / phototransistor di rectional characteristics 2) page 15 ired abstrahlcharakteristik / phototransistor winke ldiagramm 2) seite 15 i rel = f(?) / s rel = f(?) v ohf01528 ce -2 10 ce c 10 -1 10 0 10 1 10 2 0 v 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 5.0 pf ohf00871 tot p 0 0 40 80 120 160 mw 200 20 40 60 80 ?c 100 t a 0 0.2 0.4 1.00.8 0.6 ? 1.0 0.8 0.6 0.4 0? 10? 20? 40? 30? ohl01660 50?60? 70? 80? 90? 100? 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120?
version 1.1 sfh 7250 2015-01-28 11 pinning anschlussbelegung package outline ma?zeichnung dimensions in mm (inch). / ma?e in mm (inch). pin description anschluss beschreibung 1 anode ired/ anode ired 2 cathode ired/ kathode ired 3 collector phototransistor/ kollektor fototransistor 4 emitter phototransistor/ emitter fototransistor package smt multi topled geh?use smt multi topled
2015-01-28 12 version 1.1 sfh 7250 taping gurtung dimensions in mm (inch). / ma?e in mm (inch). recommended solder pad empfohlenes l?tpaddesign ohay0536 4 (0.157) 2.9 (0.114) 1.5 (0.059) 4 (0.157) 3.6 (0.142) 3.5 (0.138) 2 (0.079) 1.75 (0.069) 8 (0.315) cathode/collector marking
version 1.1 sfh 7250 2015-01-28 13 reflow soldering profile reflow-l?tprofil product complies to msl level 2 acc. to jedec j-std -020d.01 0 0 s oha04525 50 100 150 200 250 300 50 100 150 200 250 300 t t ?c s t t p t t p 240 ?c 217 ?c 245 ?c 25 ?c l oha04612 profile featureprofil-charakteristik ramp-up rate to preheat* ) 25 c to 150 c 2 3 k/s time t s t smin to t smax t s t l t p t l t p 100 120 60 10 20 30 80 100 217 2 3 245 260 3 6 time25 c to t p time within 5 c of the specified peaktemperature t p - 5 k ramp-down rate*t p to 100 c all temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component* slope calculation d t/ d t: d t max. 5 s; fulfillment for the whole t-range ramp-up rate to peak* ) t smax to t p liquidus temperaturepeak temperature time above liquidus temperature symbolsymbol uniteinheit pb-free (snagcu) assembly minimum maximum recommendation k/sk/s s ss s c c 480
2015-01-28 14 version 1.1 sfh 7250 disclaimer disclaimer attention please! the information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. terms of delivery and rights to change design reser ved. due to technical requirements components may contai n dangerous substances. for information on the types in question please con tact our sales organization. if printed or downloaded, please find the latest ve rsion in the internet. packing please use the recycling operators known to you. we can also help you C get in touch with your nearest sales office. by agreement we will take packing material back, if it is sorted. you must bear the costs of transport. for packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invo ice you for any costs incurred. components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! critical components* may only be used in life-suppo rt devices** or systems with the express written appro val of osram os. *) a critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its saf ety or the effectiveness of that device or system. **) life support devices or systems are intended (a ) to be implanted in the human body, or (b) to support and/ or maintain and sustain human life. if they fail, it i s reasonable to assume that the health and the life o f the user may be endangered. bitte beachten! lieferbedingungen und ?nderungen im design vorbehalten. aufgrund technischer anforderungen k?nnen die bauteile gefahrstoffe enthalten. fr wei tere informationen zu gewnschten bauteilen, wenden sie sich bitte an unseren vertrieb. falls sie dieses datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden sie die aktuellste version im internet. verpackung benutzen sie bitte die ihnen bekannten recyclingweg e. wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden sie s ich bitte an das n?chstgelegene vertriebsbro. wir nehm en das verpackungsmaterial zurck, falls dies vereinba rt wurde und das material sortiert ist. sie tragen die transportkosten. fr verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mssen, stellen wir ihnen die anfallenden kosten in rechnung. bauteile, die in lebenserhaltenden apparaten und systemen eingesetzt werden, mssen fr diese zwecke ausdrcklich zugelassen sein! kritische bauteile* drfen in lebenserhaltenden apparaten und systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches einverst?ndnis von osram os vorliegt. *) ein kritisches bauteil ist ein bauteil, das in lebenserhaltenden apparaten oder systemen eingesetzt wird und dessen defekt voraussichtlich z u einer fehlfunktion dieses lebenserhaltenden apparat es oder systems fhren wird oder die sicherheit oder effektivit?t dieses apparates oder systems beeintr?chtigt. **) lebenserhaltende apparate oder systeme sind fr (a) die implantierung in den menschlichen k?rper od er (b) fr die lebenserhaltung bestimmt. falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die gesundheit und das leben des patienten in gefahr is t.
version 1.1 sfh 7250 2015-01-28 15 glossary glossar 1) thermal resistance: junction -ambient, mounted on pc-board (fr4), padsize 16 mm 2 each 1) w?rmewiderstand: sperrschicht -umgebung, bei montage auf fr4 platine, padgr??e je 16 mm 2 2) typical values: due to the special conditions of the manufacturing processes of led, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. these do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typ ical characteristic line. if requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 2) typische werte: wegen der besonderen prozessbedingungen bei der herstellung von led k?nnen typische oder abgeleitete technische parameter nur aufgrund statistischer werte wiedergegeben werden. diese stimmen nicht notwendigerweise mit den werten jedes einzelnen produktes berein, dessen werte sich von typischen und abgeleiteten werten oder typischen kennlinien unterscheiden k?nnen. falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer verbesserungen, werden diese typischen werte ohne weitere ankndigung ge?ndert.
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